APT6030BVRG Microchip Technology
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Technische Details APT6030BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 21A, Pulsed drain current: 84A, Power dissipation: 298W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 150nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT6030BVRG nach Preis ab 26.1 EUR bis 30.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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APT6030BVRG | Hersteller : Microchip Technology |
 MOSFET MOSFET MOS5 600 V 30 Ohm TO-247 |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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APT6030BVRG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT6030BVRG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT6030BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT6030BVRG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT6030BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced |
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