APT66F60L Microchip Technology
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Technische Details APT66F60L Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264, Technology: POWER MOS 8®, Case: TO264, Mounting: THT, On-state resistance: 90mΩ, Power dissipation: 1135W, Drain current: 44A, Drain-source voltage: 600V, Gate charge: 330nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 245A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT66F60L
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT66F60L | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 Technology: POWER MOS 8® Case: TO264 Mounting: THT On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 1135W Drain current: 44A Drain-source voltage: 600V Gate charge: 330nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT66F60L | Hersteller : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO264 |
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APT66F60L | Hersteller : Microchip Technology | MOSFET FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-264 |
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APT66F60L | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 Technology: POWER MOS 8® Case: TO264 Mounting: THT On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 1135W Drain current: 44A Drain-source voltage: 600V Gate charge: 330nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
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