APT75GT120JRDQ3 Microsemi
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Technische Details APT75GT120JRDQ3 Microsemi
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 57A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Technology: NPT; POWER MOS 7®, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT75GT120JRDQ3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT75GT120JRDQ3 Produktcode: 47971 |
 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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APT75GT120JRDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 97A 480mW 4-Pin SOT-227 Tube |
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| APT75GT120JRDQ3 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 57A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Technology: NPT; POWER MOS 7® Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT75GT120JRDQ3 | Hersteller : MICROSEMI |
ISOTOP/Thunderbolt IGBT APT75GT120 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT75GT120JRDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOP |
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| APT75GT120JRDQ3 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 57A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Technology: NPT; POWER MOS 7® Mechanical mounting: screw |
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