APT77N60SC6 Microchip Technology
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Technische Details APT77N60SC6 Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 49A, Pulsed drain current: 272A, Power dissipation: 481W, Case: D3PAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 41mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 260nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT77N60SC6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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APT77N60SC6 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
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APT77N60SC6 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 49A Pulsed drain current: 272A Power dissipation: 481W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT77N60SC6 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK |
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APT77N60SC6 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 49A Pulsed drain current: 272A Power dissipation: 481W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of channel: enhanced |
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