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Technische Details APT7M120B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, Power dissipation: 335W, Technology: POWER MOS 8®, Pulsed drain current: 28A, Gate charge: 80nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 5A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 2.1Ω, Gate-source voltage: ±30V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT7M120B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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APT7M120B | Hersteller : Microsemi |
 MOSFET Power MOSFET - MOS8 |
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APT7M120B | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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APT7M120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 335W Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 28A Gate charge: 80nC Polarisation: unipolar Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.1Ω Gate-source voltage: ±30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT7M120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 335W Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 28A Gate charge: 80nC Polarisation: unipolar Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.1Ω Gate-source voltage: ±30V |
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