APT8014JLL Microchip Technology
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Technische Details APT8014JLL Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 800V; 42A; ISOTOP; Ugs: ±30V; screw; 595W, Case: ISOTOP, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Technology: POWER MOS 7®, Power dissipation: 595W, Pulsed drain current: 168A, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 42A, On-state resistance: 140mΩ, Semiconductor structure: single transistor.
Weitere Produktangebote APT8014JLL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT8014JLL | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 800V 42A 4-Pin SOT-227 Tube |
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| APT8014JLL | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 42A; ISOTOP; Ugs: ±30V; screw; 595W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: POWER MOS 7® Power dissipation: 595W Pulsed drain current: 168A Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 42A On-state resistance: 140mΩ Semiconductor structure: single transistor |
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APT8014JLL | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 42A 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT8014JLL | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 42A ISOTOP |
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| APT8014JLL | Hersteller : Microchip / Microsemi |
MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.14_OHM, SOT-227 |
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| APT8014JLL | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.14_OHM, SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT8014JLL | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 42A; ISOTOP; Ugs: ±30V; screw; 595W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: POWER MOS 7® Power dissipation: 595W Pulsed drain current: 168A Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 42A On-state resistance: 140mΩ Semiconductor structure: single transistor |
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