APT8014L2FLLG Microchip / Microsemi
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APT8014L2FLLG Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W; TO264MAX, Mounting: THT, Case: TO264MAX, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 52A, On-state resistance: 0.16Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 893W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 285nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 208A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT8014L2FLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT8014L2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 800V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| APT8014L2FLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W; TO264MAX Mounting: THT Case: TO264MAX Drain-source voltage: 800V Drain current: 52A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Gate charge: 285nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 208A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
APT8014L2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
APT8014L2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET FG, FREDFET, 800V, TO-264 MAX, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| APT8014L2FLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W; TO264MAX Mounting: THT Case: TO264MAX Drain-source voltage: 800V Drain current: 52A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Gate charge: 285nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 208A |
Produkt ist nicht verfügbar |