APT8020B2LLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; T-Max
Case: T-Max
Mounting: THT
Power dissipation: 694W
Gate charge: 195nC
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 7®
Drain current: 38A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.2Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT8020B2LLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; T-Max, Case: T-Max, Mounting: THT, Power dissipation: 694W, Gate charge: 195nC, Polarisation: unipolar, Technology: POWER MOS 7®, Drain current: 38A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 800V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, On-state resistance: 0.2Ω, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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T-MAX/38 A, 800 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT8020 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Description: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX |
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APT8020B2LLG | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.20_OHM, TO-247 T-MAX, RoHS |
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| APT8020B2LLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; T-Max Case: T-Max Mounting: THT Power dissipation: 694W Gate charge: 195nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 7® Drain current: 38A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube On-state resistance: 0.2Ω |
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