APT8020LLLG Microchip Technology
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Technische Details APT8020LLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Power dissipation: 694W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 195nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.2Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT8020LLLG nach Preis ab 67.18 EUR bis 77.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT8020LLLG | Hersteller : Microchip Technology |
 MOSFET MOSFET MOS7 800 V 20 Ohm TO-264 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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APT8020LLLG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT8020LLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Power dissipation: 694W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 195nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Drain current: 38A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT8020LLLG | Hersteller : MICROSEMI |
TO-264 [L]POWER MOSFET - MOS7 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT8020LLLG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 38A TO264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT8020LLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Power dissipation: 694W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 195nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Drain current: 38A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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