APT8024JLL Microchip Technology
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Technische Details APT8024JLL Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 800V; 29A; ISOTOP; screw; Idm: 116A; 460W, Case: ISOTOP, Power dissipation: 460W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 116A, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 29A, On-state resistance: 0.24Ω, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT8024JLL nach Preis ab 80.31 EUR bis 95.16 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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APT8024JLL | Hersteller : Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules MOSFET MOS7 800 V 24 Ohm SOT-227 |
auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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APT8024JLL Produktcode: 169013 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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APT8024JLL | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 29A; ISOTOP; screw; Idm: 116A; 460W Case: ISOTOP Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 116A Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 29A On-state resistance: 0.24Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT8024JLL | Hersteller : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 29A ISOTOP |
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APT8024JLL | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 29A; ISOTOP; screw; Idm: 116A; 460W Case: ISOTOP Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 116A Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 29A On-state resistance: 0.24Ω |
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