APT8056BVRG Microchip Technology
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Technische Details APT8056BVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT8056BVRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT8056BVRG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT8056BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
APT8056BVRG THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT8056BVRG | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/POWER MOSFET - MOS5 APT8056 Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT8056BVRG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V |
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