APT80GA60LD40 Microchip Technology
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Technische Details APT80GA60LD40 Microchip Technology
Description: IGBT 600V 143A 625W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Supplier Device Package: TO-264, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns, Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off), Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 143 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 625 W.
Weitere Produktangebote APT80GA60LD40
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APT80GA60LD40 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 APT80GA60LD40 THT IGBT transistors |
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| APT80GA60LD40 | Hersteller : MICROSEMI |
TO-264/143 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT APT80GA60 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT80GA60LD40 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 143A 625W TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A Supplier Device Package: TO-264 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off) Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Current - Collector (Ic) (Max): 143 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 625 W |
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APT80GA60LD40 | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 |
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