APT80GP60JDQ3 Microchip Technology
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Technische Details APT80GP60JDQ3 Microchip Technology
Description: IGBT 600V 151A 462W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 151 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 462 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.84 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT80GP60JDQ3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT80GP60JDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 151A 462000mW |
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| APT80GP60JDQ3 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 68A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 330A Technology: POWER MOS 7®; PT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT80GP60JDQ3 | Hersteller : MICROSEMI |
ISOTOP/POWER MOS 7 IGBT APT80GP60 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT80GP60JDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 151A 462W SOT227 Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 151 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 462 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.84 nF @ 25 V |
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| APT80GP60JDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 80A, SOT-227 |
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| APT80GP60JDQ3 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 68A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 330A Technology: POWER MOS 7®; PT Mechanical mounting: screw |
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