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APT85GR120L MICROSEMI


125227-apt85gr120b2-apt85gr120l-datasheet Hersteller: MICROSEMI
Ultra Fast NPT - IGBT APT85GR120
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Technische Details APT85GR120L MICROSEMI

Description: IGBT NPT 1200V 170A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, Supplier Device Package: TO-264, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns, Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off), Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 660 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A, Power - Max: 962 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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APT85GR120L
Produktcode: 172611
125227-apt85gr120b2-apt85gr120l-datasheet Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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APT85GR120L APT85GR120L Hersteller : Microchip Technology 125227-apt85gr120b2-l-a-pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 170A 962000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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APT85GR120L APT85GR120L Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 125227-apt85gr120b2-apt85gr120l-datasheet Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 85A; 962W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 85A
Power dissipation: 962W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 340A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 445ns
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APT85GR120L APT85GR120L Hersteller : Microchip Technology 125227-apt85gr120b2-apt85gr120l-datasheet Description: IGBT NPT 1200V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns
Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 660 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 962 W
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APT85GR120L Hersteller : Microchip Technology 125227-apt85gr120b2-apt85gr120l-datasheet IGBT Modules IGBT MOS 8 1200 V 85 A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
APT85GR120L APT85GR120L Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 125227-apt85gr120b2-apt85gr120l-datasheet Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 85A; 962W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 85A
Power dissipation: 962W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 340A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 445ns
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