APTC60DDAM45T1G Microchip Technology
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Technische Details APTC60DDAM45T1G Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A, Case: SP1, On-state resistance: 45mΩ, Topology: boost chopper x2; NTC thermistor, Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET, Drain current: 38A, Power dissipation: 250W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 130A, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 600V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTC60DDAM45T1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| APTC60DDAM45T1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A Case: SP1 On-state resistance: 45mΩ Topology: boost chopper x2; NTC thermistor Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET Drain current: 38A Power dissipation: 250W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 130A Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTC60DDAM45T1G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 |
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| APTC60DDAM45T1G | Hersteller : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1 |
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| APTC60DDAM45T1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A Case: SP1 On-state resistance: 45mΩ Topology: boost chopper x2; NTC thermistor Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET Drain current: 38A Power dissipation: 250W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 130A Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 600V |
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