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APTC60VDAM45T1G MICROCHIP (MICROSEMI)


7362-aptc60vdam45t1g-datasheet Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A
Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: SP1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APTC60VDAM45T1G MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A, Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, Pulsed drain current: 130A, Power dissipation: 250W, Case: SP1, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 45mΩ, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Topology: boost chopper x2; NTC thermistor, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APTC60VDAM45T1G Hersteller : MICROSEMI 7362-aptc60vdam45t1g-datasheet SP1/49 A, 600 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APTC60VDAM45
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTC60VDAM45T1G Hersteller : Microchip Technology 7362-aptc60vdam45t1g-datasheet Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
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Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A
Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: SP1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
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