APTGFQ25H120T2G Microchip Technology
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Technische Details APTGFQ25H120T2G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2, Packaging: Bulk, Package / Case: SP2, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP2, IGBT Type: NPT and Fieldstop, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 227 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.02 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APTGFQ25H120T2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APTGFQ25H120T2G | Hersteller : MICROSEMI |
 SP2/Full - Bridge NPT IGBT Power Module APTGFQ25H120Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APTGFQ25H120T2G | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2 Packaging: Bulk Package / Case: SP2 Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: Full Bridge Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP2 IGBT Type: NPT and Fieldstop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 227 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.02 nF @ 25 V |
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APTGFQ25H120T2G | Hersteller : Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
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