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Technische Details APTGL475U120DAG Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 475A; SP6C; screw, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: single transistor + series diode, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 475A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 800A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote APTGL475U120DAG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| APTGL475U120DAG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 475A; SP6C; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: single transistor + series diode Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 475A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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| APTGL475U120DAG | Hersteller : MICROSEMI |
SP6CTRENCH 4 IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APTGL475U120DAG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6 |
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| APTGL475U120DAG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 475A; SP6C; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: single transistor + series diode Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 475A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
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