APTGL90A120T1G MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 90A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 150A
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: SP1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Anzahl je Verpackung: 14 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APTGL90A120T1G MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 90A, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 90A, Pulsed collector current: 150A, Application: motors, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, Case: SP1, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Anzahl je Verpackung: 14 Stücke.
Weitere Produktangebote APTGL90A120T1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGL90A120T1G | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: MOD IGBT 1200V 110A SP1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTGL90A120T1G | Hersteller : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules DOR CC8086 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTGL90A120T1G | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Modules DOR CC8086 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTGL90A120T1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 90A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 90A Pulsed collector current: 150A Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Case: SP1 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |