APTGLQ150H120G Microchip Technology
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Technische Details APTGLQ150H120G Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; SP6C, Topology: H-bridge, Technology: Field Stop; Trench, Case: SP6C, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 480A, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote APTGLQ150H120G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APTGLQ150H120G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; SP6C Topology: H-bridge Technology: Field Stop; Trench Case: SP6C Collector current: 150A Pulsed collector current: 480A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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| APTGLQ150H120G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 250A 750W SP6 |
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APTGLQ150H120G | Hersteller : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules CC6256 |
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| APTGLQ150H120G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; SP6C Topology: H-bridge Technology: Field Stop; Trench Case: SP6C Collector current: 150A Pulsed collector current: 480A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
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