APTGT150DH60TG Microchip Technology
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Technische Details APTGT150DH60TG Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V, Case: SP4, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 350A, Electrical mounting: FASTON connectors; soldering, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTGT150DH60TG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APTGT150DH60TG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V Case: SP4 Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A Electrical mounting: FASTON connectors; soldering Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTGT150DH60TG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 600V 225A 480W SP4 |
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| APTGT150DH60TG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules DOR CC4108 |
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| APTGT150DH60TG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V Case: SP4 Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A Electrical mounting: FASTON connectors; soldering Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor |
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