APTGT200A170D3G MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Application: motors
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Case: D3
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke
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Technische Details APTGT200A170D3G MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Max. off-state voltage: 1.7kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 400A, Application: motors, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: IGBT half-bridge, Case: D3, Anzahl je Verpackung: 4 Stücke.
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APTGT200A170D3G | Hersteller : MICROSEMI |
D3/POWER MODULE - IGBT APTGT200 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTGT200A170D3G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1700V 400A 1250W D3 |
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| APTGT200A170D3G | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-D3 |
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| APTGT200A170D3G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Application: motors Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: IGBT half-bridge Case: D3 |
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