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APTGT50DH60T1G MICROCHIP (MICROSEMI)


index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7896 Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 600V
Collector current: 50A
Case: SP1
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 19 Stücke
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Technische Details APTGT50DH60T1G MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 600V, Collector current: 50A, Case: SP1, Application: motors, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 100A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 19 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APTGT50DH60T1G APTGT50DH60T1G Hersteller : Microchip Technology 2727896-aptgt50dh60t1g-rev1-pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 80A 176000mW 10-Pin Case SP-1 Tube
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Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 600V
Collector current: 50A
Case: SP1
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
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