APTM100DA18TG Microchip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APTM100DA18TG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 33A; SP4; FASTON connectors,screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 7®, Drain current: 33A, Drain-source voltage: 1kV, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP4, On-state resistance: 0.21Ω, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Pulsed drain current: 172A, Power dissipation: 780W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM100DA18TG
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
APTM100DA18TG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 33A; SP4; FASTON connectors,screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Drain current: 33A Drain-source voltage: 1kV Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP4 On-state resistance: 0.21Ω Topology: boost chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 780W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
APTM100DA18TG | Hersteller : MICROSEMI |
SP4/POWER MODULE - MOSFET APTM100 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
APTM100DA18TG | Hersteller : Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
APTM100DA18TG | Hersteller : Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules CC4071 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
APTM100DA18TG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 33A; SP4; FASTON connectors,screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Drain current: 33A Drain-source voltage: 1kV Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP4 On-state resistance: 0.21Ω Topology: boost chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 780W |
Produkt ist nicht verfügbar |