APTM100SK33T1G

APTM100SK33T1G

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM100SK33T1G Transistor modules MOSFET
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Technische Details APTM100SK33T1G

Description: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7868pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V, Package / Case: SP1, Supplier Device Package: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Bulk.

Preis APTM100SK33T1G ab 0 EUR bis 0 EUR

APTM100SK33T1G
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM100SK33T1G Transistor modules MOSFET
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APTM100SK33T1G
Hersteller: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules DOR CC8017
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APTM100SK33T1G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7868pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V
Package / Case: SP1
Supplier Device Package: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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