APTM100UM65SAG Microchip Technology
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Technische Details APTM100UM65SAG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3.25kW; screw, Type of module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, Drain current: 110A, Drain-source voltage: 1kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP6C, On-state resistance: 78mΩ, Topology: single transistor + series diode - parrallel diode, Pulsed drain current: 580A, Power dissipation: 3.25kW, Technology: POWER MOS 7®, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM100UM65SAG nach Preis ab 734.37 EUR bis 908.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APTM100UM65SAG | Hersteller : Microchip Technology |
 Discrete Semiconductor Modules CC6021 |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 379-393 Tag (e) |
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| APTM100UM65SAG | Hersteller : Microchip Technology / Atmel |
Discrete Semiconductor Modules CC6021 |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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APTM100UM65SAG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 145A 4-Pin Case SP-6 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APTM100UM65SAG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3.25kW; screw Type of module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Drain current: 110A Drain-source voltage: 1kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP6C On-state resistance: 78mΩ Topology: single transistor + series diode - parrallel diode Pulsed drain current: 580A Power dissipation: 3.25kW Technology: POWER MOS 7® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APTM100UM65SAG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3.25kW; screw Type of module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Drain current: 110A Drain-source voltage: 1kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP6C On-state resistance: 78mΩ Topology: single transistor + series diode - parrallel diode Pulsed drain current: 580A Power dissipation: 3.25kW Technology: POWER MOS 7® |
Produkt ist nicht verfügbar |