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APTM10DAM05TG

APTM10DAM05TG Microchip Technology


11328043-aptm10dam05tg-rev1-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 100V 278A 20-Pin Case SP-4 Tube
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Technische Details APTM10DAM05TG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Case: SP4, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain current: 207A, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Pulsed drain current: 1100A, Type of module: MOSFET transistor, On-state resistance: 5mΩ, Power dissipation: 780W, Drain-source voltage: 100V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APTM10DAM05TG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8043 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Case: SP4
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain current: 207A
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper; NTC thermistor
Pulsed drain current: 1100A
Type of module: MOSFET transistor
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTM10DAM05TG Hersteller : Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8043 Description: MOSFET N-CH 100V 278A SP4
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APTM10DAM05TG Hersteller : Microchip / Microsemi index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8043 Discrete Semiconductor Modules DOR CC4126
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APTM10DAM05TG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8043 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Case: SP4
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain current: 207A
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper; NTC thermistor
Pulsed drain current: 1100A
Type of module: MOSFET transistor
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 780W
Drain-source voltage: 100V
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