AS6C8016-55ZIN ALLIANCE MEMORY
Hersteller: ALLIANCE MEMORYCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 8Mb SRAM
Operating voltage: 2.7...5V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 7+ | 10.98 EUR |
| 10+ | 7.24 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AS6C8016-55ZIN ALLIANCE MEMORY
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 512K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote AS6C8016-55ZIN nach Preis ab 7.24 EUR bis 19.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AS6C8016-55ZIN | Hersteller : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TSOP44 II Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 8Mb SRAM Operating voltage: 2.7...5V Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 400mils Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
AS6C8016-55ZIN | Hersteller : Alliance Memory |
SRAM LP SRAM, 8Mb, 512K x 16, 2.7 - 5.5V, 44pin TSOP II, 55ns, Industrial Temp - Tray |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
AS6C8016-55ZIN | Hersteller : Alliance Memory, Inc. |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 2206 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
| AS6C8016-55ZIN | Hersteller : Alliance Memory, Inc. |
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II Tray |
auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
| AS6C8016-55ZIN | Hersteller : ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C8016-55ZIN - SRAM, Asynchron, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 8Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
 |
AS6C8016-55ZIN Produktcode: 32914 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
|