AUIRF7749L2TR

AUIRF7749L2TR Infineon Technologies


auirf7749l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b0aec5140a Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 345A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10655 pF @ 25 V
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Technische Details AUIRF7749L2TR Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0011 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 345A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: DirectFET SB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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AUIRF7749L2TR AUIRF7749L2TR Hersteller : Infineon Technologies Infineon_AUIRF7749L2_DataSheet_v01_01_EN-3360480.pdf MOSFET MOSFET_)40V 60V)
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AUIRF7749L2TR AUIRF7749L2TR Hersteller : Infineon Technologies auirf7749l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b0aec5140a Description: MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 345A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10655 pF @ 25 V
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AUIRF7749L2TR AUIRF7749L2TR Hersteller : INFINEON 4127835.pdf Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0011 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET SB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7785 Stücke:
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AUIRF7749L2TR AUIRF7749L2TR Hersteller : INFINEON 4127835.pdf Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0011 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage
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Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AUIRF7749L2TR Hersteller : Infineon auirf7749l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b0aec5140a
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AUIRF7749L2TR AUIRF7749L2TR Hersteller : Infineon Technologies infineon-auirf7749l2-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 36A Automotive 9-Pin Direct-FET2 T/R
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