AUIRFB8409 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details AUIRFB8409 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 195, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote AUIRFB8409 nach Preis ab 9.64 EUR bis 17.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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AUIRFB8409 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A |
auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRFB8409 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V |
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AUIRFB8409 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 195 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFB8409 Produktcode: 61521 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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AUIRFB8409 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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AUIRFB8409 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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AUIRFB8409 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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AUIRFB8409 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AUIRFB8409 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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