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AUIRFZ24NS INFINEON

Name: AUIRFZ24NS
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: 453540269-1
Price: 3.25 EUR
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auirfz24ns.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9c7a414fd

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFZ24NS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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Technische Details AUIRFZ24NS INFINEON

Description: INFINEON - AUIRFZ24NS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
AUIRFZ24NS	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube	Produkt ist nicht verfügbar
AUIRFZ24NS	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 12A; 45W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 12A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar
AUIRFZ24NS	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar
AUIRFZ24NS	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 12A; 45W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 12A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced	Produkt ist nicht verfügbar