BAQ33-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
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Technische Details BAQ33-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 40V; 0.2A; MiniMELF; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A, Mounting: SMD, Case: MiniMELF, Kind of package: reel; tape, Leakage current: 1nA, Capacitance: 3pF, Type of diode: rectifying, Max. forward impulse current: 2A, Max. forward voltage: 1V, Max. off-state voltage: 40V, Load current: 0.2A, Semiconductor structure: single diode.
Weitere Produktangebote BAQ33-GS08
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| BAQ33-GS08 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM |
auf Bestellung 5976 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BAQ33-GS08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80 |
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| BAQ33-GS08 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 40V; 0.2A; MiniMELF; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A Mounting: SMD Case: MiniMELF Kind of package: reel; tape Leakage current: 1nA Capacitance: 3pF Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 2A Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode |
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