BAQ333-TR

BAQ333-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division


baq333.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 40V 200MA MICROMELF
auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BAQ333-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 40V; 0.2A; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Case: MicroMELF, Kind of package: reel; tape, Max. off-state voltage: 40V, Load current: 0.2A, Semiconductor structure: single diode, Leakage current: 1nA, Capacitance: 3pF, Max. forward impulse current: 2A, Max. forward voltage: 1V, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.

Weitere Produktangebote BAQ333-TR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BAQ333-TR Hersteller : Vishay Semiconductors baq333-1767646.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
auf Bestellung 3628 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BAQ333-TR (диод)
Produktcode: 116333
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
BAQ333-TR Hersteller : VISHAY baq333.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 40V; 0.2A; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Case: MicroMELF
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1nA
Capacitance: 3pF
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BAQ333-TR BAQ333-TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division baq333.pdf Description: DIODE GP 40V 200MA MICROMELF
Produkt ist nicht verfügbar
BAQ333-TR Hersteller : VISHAY baq333.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 40V; 0.2A; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Case: MicroMELF
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1nA
Capacitance: 3pF
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1V
Produkt ist nicht verfügbar