BAS21LT3G

BAS21LT3G ON Semiconductor


bas19lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BAS21LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BAS21LT3G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 625mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BAS21, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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BAS21LT3G BAS21LT3G Hersteller : onsemi bas19lt1-d.pdf Description: DIODE GP 250V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
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BAS21LT3G BAS21LT3G Hersteller : ON Semiconductor bas19lt1-d.pdf Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BAS21LT3G BAS21LT3G Hersteller : onsemi bas19lt1-d.pdf Description: DIODE GP 250V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
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BAS21LT3G BAS21LT3G Hersteller : onsemi BAS19LT1_D-2309992.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 200mA
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BAS21LT3G BAS21LT3G Hersteller : ON Semiconductor bas19lt1-d.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns 3-Pin SOT-23 T/R
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BAS21LT3G BAS21LT3G Hersteller : ONSEMI 2255295.pdf Description: ONSEMI - BAS21LT3G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BAS21LT3G BAS21LT3G Hersteller : ON Semiconductor bas19lt1-d.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns 3-Pin SOT-23 T/R
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BAS21LT3G BAS21LT3G Hersteller : ONSEMI bas19lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
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BAS21LT3G BAS21LT3G Hersteller : ON Semiconductor bas19lt1-d.pdf Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BAS21LT3G BAS21LT3G Hersteller : ONSEMI bas19lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
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