BB135

BB135 NXP


BB135.pdf
Produktcode: 12412
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOD-323
Urev.,V: 30
Iausricht.,А: 01.02.2000
Beschreibung: Varicap 1,7…17pF
Монтаж: SMD
verfügbar 530 Stück:

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BB135 Hersteller : PHI SOD-323
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BB135 Hersteller : PHI SOD323
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BB132
Produktcode: 260
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BB132
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-323
Urev.,V: 28
Beschreibung: Varicap Cd=2,3-2,75pF V=28B n=24-30 r=2Oм>BB131(5);BB141(2,3) aus der Produktion
Монтаж: SMD
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BB148
Produktcode: 4719
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-323
Urev.,V: 30
Iausricht.,А: 01.02.2000
Beschreibung: Varicap 2,4…41,8pF
Монтаж: SMD
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BB133
Produktcode: 1822
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BB133
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-323
Urev.,V: 30
Iausricht.,А: 01.02.2000
Beschreibung: Varicap 2,6…46 pF
Монтаж: SMD
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 884 Stück
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