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BC807-16QBH-QZ

BC807-16QBH-QZ Nexperia


BC807QBH_Q_SER-2933455.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC807-16QBH-Q/SOT8015/DFN1110D
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Technische Details BC807-16QBH-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC807-16QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 550mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC807-16QBH-QZ BC807-16QBH-QZ Hersteller : NEXPERIA 3679914.pdf Description: NEXPERIA - BC807-16QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC807-16QBH-QZ BC807-16QBH-QZ Hersteller : NEXPERIA 3679914.pdf Description: NEXPERIA - BC807-16QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC807-16QBH-QZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807QBH-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 5000
BC807-16QBH-QZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807QBH-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19603 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
35+0.75 EUR
51+ 0.52 EUR
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2000+ 0.13 EUR
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BC807-16QBH-QZ BC807-16QBH-QZ Hersteller : Nexperia bc807qbh-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 550mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
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BC807-16QBH-QZ BC807-16QBH-QZ Hersteller : Nexperia bc807qbh-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 550mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
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