BC807-16QC-QZ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 380 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 38+ | 0.7 EUR |
| 55+ | 0.48 EUR |
| 112+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 2000+ | 0.12 EUR |
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Technische Details BC807-16QC-QZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC807-16QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: BC807QC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC807-16QC-QZ nach Preis ab 0.086 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BC807-16QC-QZ | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC807-16QC-Q/SOT8009/DFN1412D- |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BC807-16QC-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-16QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: BC807QC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC807-16QC-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-16QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: BC807QC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC807-16QC-QZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 380 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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