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BC846ALT1G

BC846ALT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC846ALT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 300 mW.

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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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3572+ 0.02 EUR
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : onsemi BC846ALT1_D-2310268.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC846ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC846ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC846ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 65; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 110 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 2963 Stücke:
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176+0.039 EUR
189+ 0.033 EUR
205+ 0.029 EUR
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BC846ALT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 BC846ALT3G BC846ALT1G TBC846al ONS
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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BC846ALT1G Hersteller : ON SEMICONDUCTOR bc846alt1-d.pdf NPN 100 мА 65 В SOT-23 Pb-Free
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC846ALT1G BC846ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC846ALT1G Hersteller : Diodes Incorporated bc846alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC846ALT1G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 476 		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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