auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5000+ | 0.05 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BC846BQCZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC846xQC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC846BQCZ nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.61 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC846BQCZ | Hersteller : Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BC846BQCZ | Hersteller : Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BC846BQCZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BC846BQCZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW |
auf Bestellung 16870 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BC846BQCZ | Hersteller : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC846BQC/SOT8009/DFN1412D-3 |
auf Bestellung 34976 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BC846BQCZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
BC846BQCZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
BC846BQCZ | Hersteller : NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |