BC847BQAZ Nexperia
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Technische Details BC847BQAZ Nexperia
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 280 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BC847BQAZ | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
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BC847BQAZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
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BC847BQAZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
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BC847BQAZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
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BC847BQAZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 280 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BC847BQAZ | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC847BQA/SOT1215/DFN1010D-3 |
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