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BC847QASZ

BC847QASZ Nexperia

bc847qas.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
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Technische Details BC847QASZ Nexperia

Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BC847QASZ BC847QASZ Hersteller : Nexperia bc847qas.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
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BC847QASZ BC847QASZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC847QAS.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC847QASZ BC847QASZ Hersteller : Nexperia bc847qas.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
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BC847QASZ BC847QASZ Hersteller : Nexperia BC847QAS-1369741.pdf Bipolar Transistors - BJT BC847QAS/SOT1216/DFN1010B-6
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BC847QASZ BC847QASZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC847QAS.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
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Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC847QASZ Hersteller : NEXPERIA BC847QAS.pdf BC847QASZ NPN SMD transistors
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