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BC857BQAZ

BC857BQAZ NXP Semiconductors

BC857XQA_SER.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BC857BQAZ NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 280 mW, Qualification: AEC-Q101.

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BC857BQAZ BC857BQAZ Hersteller : Nexperia BC857XQA_SER-1319435.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857BQA/SOT1215/DFN1010D-3
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BC857BQAZ Hersteller : NEXPERIA BC857XQA_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC857BQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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