BC857CQBZ NEXPERIA

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
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DC-Stromverstärkung hFE: -
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4460 Stücke:

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Technische Details BC857CQBZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC857CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: -, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: -, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
BC857CQBZ	Hersteller : NEXPERIA	Description: NEXPERIA - BC857CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	auf Bestellung 4460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC857CQBZ	Hersteller : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW	Produkt ist nicht verfügbar
BC857CQBZ	Hersteller : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW	Produkt ist nicht verfügbar
BC857CQBZ	Hersteller : Nexperia	Bipolar Transistors - BJT BC857CQB/SOT8015/DFN1110D-3	Produkt ist nicht verfügbar