BC859B,215 Nexperia
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Technische Details BC859B,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: -, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC859B,215 nach Preis ab 0.017 EUR bis 0.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BC859B,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC859B,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC859B,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC859B,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC859B,215 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Description: NEXPERIA BC859B - SMALL SIGNAL B Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BC859B,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC859B,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC859B,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC859B/SOT23/TO-236AB |
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BC859B,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: - rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BC859B,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: - rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC859B,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC859B,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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BC859B,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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