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BC859B

BC859B NXP

BC859,BC860.pdf
Produktcode: 31150
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.2
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar 1094 Stück:
250 Stück - stock Köln
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BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor AG bc856.pdf Description: BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BC859B BC859B Hersteller : Fairchild Semiconductor PHGLS19379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BJT SOT23 30V PNP 0.25W 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3806+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3806
BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor PHGLS19379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc856.pdf bc856.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
auf Bestellung 17138 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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216+0.24 EUR
378+ 0.14 EUR
455+ 0.11 EUR
572+ 0.091 EUR
1000+ 0.081 EUR
3000+ 0.06 EUR
9000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 216
BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
750+0.69 EUR
1500+ 0.26 EUR
3000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 750
BC859B Hersteller : ONSEMI PHGLS19379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC859B - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859B BC859B Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 290
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
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BC859B BC859B Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 290
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BC818-25 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2037		 BC818-25.pdf
BC818-25 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 25
Ic,A: 0,5
h21: 400
ZCODE: SMD
verfügbar: 2312 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.024 EUR
L4941BV
Produktcode: 3265		 description L4941.pdf
L4941BV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 1
Udrop, V: 0.45
Bemerkung: Фіксований
auf Bestellung 27 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Produktcode: 2429		 EXR_080421.pdf
1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 445 Stück
erwartet: 3000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.16 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.08 EUR
1000+ 0.068 EUR
2,7nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B272K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1901		 X7R_X5R.pdf
2,7nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B272K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 2,7nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 3457 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.03 EUR
100+ 0.015 EUR
1000+ 0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BC557B
Produktcode: 1826		 BC556,BC557.pdf
BC557B
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 901 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.06 EUR
10+ 0.05 EUR