BCM857BV,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4000+ | 0.27 EUR |
| 8000+ | 0.26 EUR |
| 12000+ | 0.23 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BCM857BV,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.
Weitere Produktangebote BCM857BV,115 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCM857BV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
auf Bestellung 18490 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BCM857BV,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications BCM857BV/SOT666/SOT6 |
auf Bestellung 22862 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BCM857BV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A |
auf Bestellung 6570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
BCM857BV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A |
auf Bestellung 6570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
BCM857BV,115 Produktcode: 180466 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
 |
BCM857BV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
BCM857BV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
BCM857BV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| BCM857BV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT666 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250Hz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| BCM857BV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT666 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250Hz |
Produkt ist nicht verfügbar |