BCM857QASZ Nexperia
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Technische Details BCM857QASZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 350mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCM857QASZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BCM857QASZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
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BCM857QASZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BCM857QASZ | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6 |
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BCM857QASZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A |
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BCM857QASZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A |
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BCM857QASZ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 6-Pin DFN-B EP T/R |
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BCM857QASZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
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| BCM857QASZ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 230mW; DFN1010B-6,SOT1216 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: DFN1010B-6; SOT1216 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 175Hz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| BCM857QASZ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 230mW; DFN1010B-6,SOT1216 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: DFN1010B-6; SOT1216 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 175Hz |
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