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Technische Details BCP51TF Nexperia
Description: NEXPERIA - BCP51TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.3W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP51T, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCP51TF | Hersteller : NEXPERIA |
 Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 1A; 1.8W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 1.8W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BCP51TF | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 1A; 1.8W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 1.8W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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BCP51TF | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP51TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP51T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BCP51TF | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP51TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP51T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BCP51TF | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCP51TF | Hersteller : NEXPERIA |
45 V, 1 A PNP medium power transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCP51TF | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BCP51T/SOT223/SC-73 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.3 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BCP51TF | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BCP51T/SOT223/SC-73 |
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