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BCP53-10,115

BCP53-10,115 Nexperia

bcp53_bcx53_bc53pa.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details BCP53-10,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP53, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BCP53-10,115 BCP53-10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCP53_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 4000 Stücke:
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1000+0.27 EUR
2000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BCP53-10,115 BCP53-10,115 Hersteller : NEXPERIA BCP53_BCX53_BC53PA.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SC73,SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 145MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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232+0.31 EUR
385+ 0.19 EUR
428+ 0.17 EUR
538+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 232
BCP53-10,115 BCP53-10,115 Hersteller : NEXPERIA BCP53_BCX53_BC53PA.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SC73,SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 145MHz
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BCP53-10,115 BCP53-10,115 Hersteller : Nexperia bcp53_bcx53_bc53pa.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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630+ 0.24 EUR
663+ 0.22 EUR
1227+ 0.11 EUR
1382+ 0.094 EUR
1489+ 0.083 EUR
3000+ 0.077 EUR
6000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 441
BCP53-10,115 BCP53-10,115 Hersteller : Nexperia BCP53_SER-3356919.pdf Bipolar Transistors - BJT BCP53-10/SOT223/SC-73
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1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.2 EUR
10000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BCP53-10,115 BCP53-10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCP53_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 4721 Stücke:
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24+1.09 EUR
34+ 0.79 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BCP53-10,115 BCP53-10,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0005722384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCP53-10,115 BCP53-10,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0005722384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BCP53-10,115 BCP53-10,115 Hersteller : NEXPERIA bcp53_bcx53_bc53pa.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP53-10,115 BCP53-10,115 Hersteller : Nexperia bcp53_bcx53_bc53pa.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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