BCP5310TA Diodes Zetex
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Technische Details BCP5310TA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BCP5310TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCP53 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BCP5310TA nach Preis ab 0.063 EUR bis 1.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BCP5310TA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BCP5310TA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz |
auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5310TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 172000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BCP5310TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 172722 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BCP5310TA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BCP5310TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5310TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP53 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BCP5310TA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5310TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP53 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCP5310TA | Hersteller : Diodes INC. |
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 2; Uceo, В = 80; Тип монт. = smd; hFE = 63 @ 150 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-223 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5310TA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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